Transphorm zeigt auf der ISPSD 2022 elektrische Schaltungen mit einem 1200 Volt GaN-Leistungstransistor mit 99 % Wirkungsgrad

GOLETA, Kalifornien (USA)--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) – ein Vorreiter und weltweiter Lieferant von hochzuverlässigen, leistungsstarken Galliumnitrid (GaN)-Energieumwandlungsprodukten – gab heute bekannt, dass das Unternehmen auf dem International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), einer angesehenen IEEE-Konferenz in der elektrischen Halbleiterindustrie, führende F&E-Ergebnisse zum 1200-Volt-GaN-Bauelement des Unternehmens vorstellen wird. Das 120