Toshiba erweitert Kapazität für Power-Halbleiterproduktion mit 300 mm-Wafer-Anlage

KAWASAKI, Japan--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation („Toshiba”) gab heute sein Vorhaben bekannt, in seiner zentralen, spezifischen Halbleiterproduktionsbasis eine neue Fertigungsanlage für 300-Milimeter-Wafer zur Unterstützung von Halbleitern aufzubauen. Die Anlage soll für Kaga Toshiba Electronics Corporation in der Präfektur Ishikawa entstehen. Der Bau wird in zwei Phasen erfolgen, so dass das Investitionstempo im Hinblick auf die Markttrends optimiert werde